高纯碳化硅粉料

产品介绍：

高纯碳化硅粉料作为现代制造的战略性基础材料，其纯度、粒径及形貌的精准调控是推动半导体、新能源及国防科技发展的关键。本公司生产的超纯碳化硅粉体材料主要针对半导体及光伏领域的碳化硅结构件、第三代半导体碳化硅单晶的生长需求，粒径可实现百微米到毫米级精准控制，产品纯度>99.9990%，可达5N、6N级别，其中半绝缘型产品氮含量低于 0.5ppm，导电型产品氮含量可根据需求选择不同含量区间。主要应用于对碳化硅纯度有高要求的领域，如半导体、光伏、特种陶瓷等。

高纯碳化硅粉料性能特点：  

 1. 超高纯度与低杂质  

 金属杂质控制：电子级粉料中Fe、Al、Ni等金属杂质＜1ppm（SEMI标准），保障半导体器件电学性能；  

 氧含量低：氧含量＜0.5wt%，避免高温烧结中生成SiO₂影响致密性。    

 2. 优异热学与化学稳定性  

 高温惰性：耐温＞2000℃，抗氧化性优于石墨；  

 耐腐蚀性：耐受强酸（HF除外）、强碱及熔融金属侵蚀。  

 3. 功能可调性  

 电学性能调控：通过掺杂（如Al、N）实现n型/p型半导体特性，电阻率范围10⁻²~10⁶Ω·cm；  

 表面改性：包覆SiO₂或Al₂O₃涂层，提升粉体分散性与烧结活性。  

典型应用场景：

 1. 半导体与第三代半导体  

 碳化硅单晶生长：作为籽晶或原料粉，用于生长SiC衬底（纯度＞99.9995%）；  

 外延片制造：CVD法沉积SiC外延层，适配新能源汽车、5G基站的高压功率器件。  

 2. 先进陶瓷与复合材料  

 烧结碳化硅陶瓷：用于光伏晶舟、悬臂桨、喷嘴等高温部件，抗弯强度＞2500MPa；  

 金属基复合材料：添加纳米SiC粉（5~10vol%），提升铝合金/钛合金的耐磨性与刚度。  

 3. 新能源与储能领域  

 锂电池负极涂层：纳米SiC粉体涂覆石墨负极，提升倍率性能与循环寿命（＞2000次）；  

 核反应堆材料：作为中子吸收剂（与B₄C复合），用于控制棒及屏蔽结构。  

 4. 精密涂层与功能材料  

 耐磨涂层：等离子喷涂纳米SiC涂层，硬度＞3000HV，用于航空发动机叶片；  

 吸波材料：与树脂复合制成隐身材料，雷达波吸收率＞90%（8~18GHz频段）。