碳化硅晶舟

碳化硅晶舟产品介绍：

碳化硅晶舟（SiC Boat）是以高纯度碳化硅（SiC，纯度＞99.9990%）为基材，通过无压烧结（RBSC）工艺制成的晶圆承载工具，3D打印一体成型，无需模具，数控机床加工或者线切割加工齿槽，无毛刺，不会划伤硅片。专为半导体、光伏、LED等精密制造领域设计。其核心功能是在高温、腐蚀性环境中稳定承载硅片、晶圆或其他基板，广泛应用于化学气相沉积（CVD）、扩散、退火等工艺。  

性能特点  

1. 环境稳定性  

耐高温：长期工作温度达1350~1600℃，短期可耐受1800℃（如碳化硅单晶生长炉），高温下无软化变形。  

抗热震性：热膨胀系数低（4.5×10⁻⁶/℃），可承受快速升降温（如从室温至1200℃的急变循环）。  

2. 超高纯度与低污染  

材料杂质含量＜0.01ppm（如金属杂质Fe、Al＜1ppb），避免硅片污染；  

表面光洁度Ra＜0.1μm，减少颗粒物附着，适配半导体7nm以下先进制程。  

3. 机械性能  

高承载强度：抗弯强度＞2500MPa，单舟可承载100片以上12英寸晶圆；  

耐腐蚀性：耐受HCl、HF等刻蚀气体及熔融硅侵蚀，寿命较石英晶舟延长58倍。  

4. 节能与长寿命  

导热系数达45W/(m·K)，热量分布均匀，减少工艺能耗；  

典型应用场景  

1. 半导体制造  

CVD/扩散工艺：承载硅片完成氧化层、多晶硅或氮化硅薄膜沉积；  

离子注入：耐高温离子轰击环境，保障掺杂均匀性。  

2. 光伏产业  

TOPCon/HJT电池生产：用于LPCVD设备中硅片绕镀与钝化层制备；  

PERC电池退火：在高温炉中完成背钝化与金属化工艺。  

3. LED与第三代半导体  

GaN外延生长：在MOCVD反应室中承载蓝宝石衬底，耐受NH₃等腐蚀性气体；  

碳化硅单晶生长：作为籽晶承载架，耐受熔融硅高温腐蚀环境。  

4. 新能源与科研领域  

锂电池材料烧结：承载正极材料（如三元材料）完成高温固相反应；  

核工业：用于放射性材料高温处理，兼具耐辐射与耐腐蚀特性。